קונץ פטנט
ראשי
חיפוש פטנטים
אודות
צור קשר
שיטה לשינוי טבעו של שטח פנים חשוף של רדיד מוליך למחצה
פטנט 123520
כללי
מספר פטנט:
123520
שם האמצאה:
שיטה לשינוי טבעו של שטח פנים חשוף של רדיד מוליך למחצה
שם באנגלית:
METHOD OF MODIFYING AN EXPOSED SURFACE OF A SEMICONDUCTOR WAFER
בקשות ופרסומים
תאריך
סוג
מספר
מדינה
22/09/1995
דין קדימה
60/004161
ארה"ב (US)
13/11/1995
דין קדימה
557727
ארה"ב (US)
08/08/1996
דין קדימה
694014
ארה"ב (US)
19/09/1996
בקשה לאומית
123520
ישראל (IL)
10/02/2002
פרסום לאומי
123520
ישראל (IL)
מגיש
שם:
3M COMPANY
כתובת:
3M CENTER, 2501 HUDSON ROAD SAINT PAUL,MN 55144-1000 , US
מדינה:
ארה"ב
מסירת הודעות
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il
סוכן
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il
מסמכים
פרטי הבקשה
שרטוטים
תביעות
פטנטים דומים
מחסנית משטחי מוליכים למחצה
התקן לצחצוח רדידים מוליכים למחצה
תהליך לפרוסת מוליך למחצה להגדיל את שטח הפנים המישורי השימושי
פרוסת מוליך למחצה והתקן מוליך למחצהלעיבוד סובסטראט מוליך למחצה
שיטה לעיבוד שבב מוליך–למחצה, שבב מוליך–למחצה, ומערכת להסרת חרוז–קצה לשימוש עם תהליך ליתוגרפיה שקיעה