כללי
מספר פטנט:
176568
שם האמצאה:
שיטה לעיבוד שבב מוליך–למחצה, שבב מוליך–למחצה, ומערכת להסרת חרוז–קצה לשימוש עם תהליך ליתוגרפיה שקיעה
שם באנגלית:
METHOD OF PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER, A SEMICONDUCTOR WAFER AND AN EDGE-BEAD REMOVAL SYSTEM FOR USE WITH AN IMMERSION LITHOGRAPHY PROCESS
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
דין קדימה 60/695826 ארה"ב (US)
דין קדימה 11/337986 ארה"ב (US)
בקשה לאומית 176568 ישראל (IL)
פרסום לאומי 176568 ישראל (IL)
  מגיש
שם:
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO. LTD.
כתובת:
NO. 8, LI-HSIN ROAD 6 SCIENCE-BASED INDUSTRIAL PARK HSIN-CHU 300 , TW
מדינה:
טייוואן
  מסירת הודעות
שם:
סנפורד ט. קולב ושות'
כתובת:
שער הגיא 4, מרמורק, רחובות 76122
מדינה:
ישראל
טלפון:
08-9455122
פקס:
08-9454556
דוא"ל:
colbpat@stc.co.il
  סוכן
שם:
סנפורד ט. קולב ושות'
כתובת:
שער הגיא 4, מרמורק, רחובות 76122
מדינה:
ישראל
טלפון:
08-9455122
פקס:
08-9454556
דוא"ל:
colbpat@stc.co.il