תהליך להסרה של ששכבת פוטורזיסט אחר אפייתה - פטנט 84255 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 84255
שם האמצאה:: תהליך להסרה של ששכבת פוטורזיסט אחר אפייתה
שם באנגלית:: PROCESS FOR REMOVAL OF POST-BAKED PHOTORESIST LAYER

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
23/10/1987	בקשה לאומית	84255	ישראל (IL)
21/02/1993	פרסום לאומי	84255	ישראל (IL)

מגיש

שם:: ORAMIR SEMICONDUCTOR EQUIPMENT LTD.
כתובת:: P.O. BOX 14 HAIFA , IL
מדינה:: ישראל

מסירת הודעות

שם:: לוצאטו את לוצאטו
כתובת:: גן תעשייה, עומר, באר שבע 84152
מדינה:: ישראל
טלפון:: 0732262626
פקס:: 073-2262627
דוא"ל:: ilpto@luzzatto.co.il

סוכן

שם:: לוצאטו את לוצאטו
כתובת:: גן תעשייה, עומר, באר שבע 84152
מדינה:: ישראל
טלפון:: 0732262626
פקס:: 073-2262627
דוא"ל:: ilpto@luzzatto.co.il

מסמכים

פטנטים דומים