קונץ פטנט
ראשי
חיפוש פטנטים
אודות
צור קשר
תהליך ליצירת דגמה שלילית בשכבת פוטורזיסט
פטנט 76702
כללי
מספר פטנט:
76702
שם האמצאה:
תהליך ליצירת דגמה שלילית בשכבת פוטורזיסט
שם באנגלית:
PROCESS OF FORMING A NEGATIVE PATTERN IN A PHOTORESIST LAYER
בקשות ופרסומים
תאריך
סוג
מספר
מדינה
26/10/1984
דין קדימה
84/27149
בריטניה (GB)
14/10/1985
בקשה לאומית
76702
ישראל (IL)
31/07/1989
פרסום לאומי
76702
ישראל (IL)
מגיש
שם:
UCB ELECTRONICS, S.A.
כתובת:
60ALLEE DE LA RECHERCHE B-1070 BRUXELLES , BE
מדינה:
בלגיה
מסירת הודעות
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il
סוכן
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il
מסמכים
פרטי הבקשה
שרטוטים
תביעות
פטנטים דומים
תהליך ליצירת דגמה חיובית בשכבת פוטורזיסט
תהליך להסרה של ששכבת פוטורזיסט אחר אפייתה
הרכבים בעלי עמידות לאור שלילית
תכשירים פוטורזיסטים ושיטות לייצור דוגמאות פוטוליטוגרפיות
תכשירים פוטורזיסטים ושיטות ליצירת דוגמאות פוטוליטוגרפיות