קונץ פטנט
ראשי
חיפוש פטנטים
אודות
צור קשר
תהליך ליצירת דגמה חיובית בשכבת פוטורזיסט
פטנט 82436
כללי
מספר פטנט:
82436
שם האמצאה:
תהליך ליצירת דגמה חיובית בשכבת פוטורזיסט
שם באנגלית:
PROCESS OF FORMING A POSITIVE PATTERN IN A PHOTORESIST LAYER
בקשות ופרסומים
תאריך
סוג
מספר
מדינה
06/05/1987
בקשה לאומית
82436
ישראל (IL)
01/11/1990
פרסום לאומי
82436
ישראל (IL)
מגיש
שם:
UCB, S.A.
כתובת:
60 ALLEE DE LA RECHERCHE B-1070 BRUXELLES , BE
מדינה:
בלגיה
מסירת הודעות
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il
סוכן
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il
מסמכים
פרטי הבקשה
שרטוטים
תביעות
פטנטים דומים
תהליך ליצירת דגמה שלילית בשכבת פוטורזיסט
תהליך להסרה של ששכבת פוטורזיסט אחר אפייתה
תכשיר פוטו-רזיסט פעיל-חיובית וייצורו
תכשירים פוטורזיסטים ושיטות לייצור דוגמאות פוטוליטוגרפיות
תכשירים פוטורזיסטים ושיטות ליצירת דוגמאות פוטוליטוגרפיות