כללי
מספר פטנט:
82436
שם האמצאה:
תהליך ליצירת דגמה חיובית בשכבת פוטורזיסט
שם באנגלית:
PROCESS OF FORMING A POSITIVE PATTERN IN A PHOTORESIST LAYER
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
בקשה לאומית 82436 ישראל (IL)
פרסום לאומי 82436 ישראל (IL)
  מגיש
שם:
UCB, S.A.
כתובת:
60 ALLEE DE LA RECHERCHE B-1070 BRUXELLES , BE
מדינה:
בלגיה
  מסירת הודעות
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il
  סוכן
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il