קונץ פטנט

מבנה מוליך למחצה המאפשר קבלת קרינה אלקטרומגנטית, רכיב מוליך למחצה ותהליך ליצירת מבנה מוליך למחצה זה פטנט 232858

  כללי
מספר פטנט:
232858
שם האמצאה:
מבנה מוליך למחצה המאפשר קבלת קרינה אלקטרומגנטית, רכיב מוליך למחצה ותהליך ליצירת מבנה מוליך למחצה זה
שם באנגלית:
SEMICONDUCTOR STRUCTURE ABLE TO RECEIVE ELECTROMAGNETIC RADIATION, SEMICONDUCTOR COMPONENT AND PROCESS FOR FABRICATING SUCH A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
פרסום בינלאומי 2013/079475 הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
דין קדימה 1160900 צרפת (FR)
בקשה בינלאומית PCT/EP/2012/073710 משרד הפטנטים האירופי (EP)
בקשת PCT 232858 ישראל (IL)
פרסום לאומי 232858 ישראל (IL)
  סיווגים (IPC)
  • H01L: חשמל > אלמנטים חשמליים בסיסיים
  מגיש
שם:
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
  מגיש/ממציא
שם:
OLIVIER GRAVRAND
  מגיש/ממציא
שם:
GERARD DESTEFANIS
  פטנטים דומים