כללי
מספר פטנט:
237007
שם האמצאה:
רכיב מוליך למחצה ותהליך לייצור רכיב מוליך למחצה
שם באנגלית:
SEMICONDUCTOR COMPONENT AND PROCESS FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
פרסום בינלאומי 2014/026941 הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
דין קדימה 12 57810 צרפת (FR)
בקשה בינלאומית PCT/EP/2013/066779 משרד הפטנטים האירופי (EP)
בקשת PCT 237007 ישראל (IL)
פרסום לאומי 237007 ישראל (IL)
  סיווגים (IPC)
  • H01L: חשמל > אלמנטים חשמליים בסיסיים
  מגיש
שם:
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
  מגיש/ממציא
שם:
OLIVIER GRAVRAND
  מגיש/ממציא
שם:
FRANCOIS BOULARD