מבנה מוליך למחצה, מכשיר הכולל מבנה זה, ושיטה לייצור מבנה מוליך למחצה - פטנט 233444 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 233444
שם האמצאה:: מבנה מוליך למחצה, מכשיר הכולל מבנה זה, ושיטה לייצור מבנה מוליך למחצה
שם באנגלית:: SEMICONDUCTOR STRUCTURE, DEVICE COMPRISING SUCH A STRUCTURE, AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2013/102631	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
04/01/2012	דין קדימה	1250086	צרפת (FR)
02/01/2013	בקשה בינלאומית	PCT/EP/2013/050020	משרד הפטנטים האירופי (EP)
29/06/2014	בקשת PCT	233444	ישראל (IL)
31/08/2014	פרסום לאומי	233444	ישראל (IL)

סיווגים (IPC)

H01L: חשמל > אלמנטים חשמליים בסיסיים

מגיש/ממציא

שם:: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

מגיש/ממציא

שם:: OLIVIER GRAVRAND

מגיש/ממציא

שם:: ALEXANDRE FERRON

פטנטים דומים