מבנה מוליך למחצה ושיטה לייצור מתקן מוליך למחצה - פטנט 181708 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 181708
שם האמצאה:: מבנה מוליך למחצה ושיטה לייצור מתקן מוליך למחצה
שם באנגלית:: SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND A METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2006/036751	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
28/09/2004	דין קדימה	60/613871	ארה"ב (US)
29/10/2004	דין קדימה	10/977091	ארה"ב (US)
21/09/2005	בקשה בינלאומית	PCT/US/2005/034030	ארה"ב (US)
05/03/2007	בקשת PCT	181708	ישראל (IL)
28/02/2011	פרסום לאומי	181708	ישראל (IL)

מגיש

שם:: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
כתובת:: 20555 STATE HIGHWAY 249 HOUSTON, TEXAS 77070 , US
מדינה:: ארה"ב

מסירת הודעות

שם:: ד" ר יצחק הס ושותפיו
כתובת:: רחוב הירקון 279, תל אביב 61063
מדינה:: ישראל
טלפון:: 03-6042715
פקס:: 03-5468038
דוא"ל:: hess@hess.co.il

סוכן

שם:: ד" ר יצחק הס ושותפיו
כתובת:: רחוב הירקון 279, תל אביב 61063
מדינה:: ישראל
טלפון:: 03-6042715
פקס:: 03-5468038
דוא"ל:: hess@hess.co.il

מסמכים

פטנטים דומים