שיטה לחיתוך של מצע מוליך למחצה ושיטה לייצור התקן מוליך למחצה - פטנט 216690 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 216690
שם האמצאה:: שיטה לחיתוך של מצע מוליך למחצה ושיטה לייצור התקן מוליך למחצה
שם באנגלית:: SEMICONDUCTOR SUBSTRATE CUTTING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2005/027212	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
10/09/2003	דין קדימה	2003-318875	יפן (JP)
21/07/2004	דין קדימה	2004-213499	יפן (JP)
09/09/2004	בקשה בינלאומית	PCT/JP/2004/013163	יפן (JP)
30/11/2011	בקשת PCT	216690	ישראל (IL)
30/01/2014	פרסום לאומי	216690	ישראל (IL)

מגיש

שם:: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
כתובת:: 1126-1, ICHINO-CHO, HIGASHI-KU HAMAMATSU-SHI, SHIZUOKA 4358558 , JP
מדינה:: יפן

מגיש/ממציא

שם:: FUMITSUGU FUKUYO

מגיש/ממציא

שם:: KENSHI FUKUMITSU

מגיש/ממציא

שם:: NAOKI UCHIYAMA

מגיש/ממציא

שם:: RYUJI SUGIURA

מגיש/ממציא

שם:: KAZUHIRO ATSUMI

מסירת הודעות

שם:: ג'יי אמ בי דייויס בן-דוד
כתובת:: מרכז בק למדע, הרטום 8, הר חוצבים, ירושלים 9777401
מדינה:: ישראל
טלפון:: 02-5714777
פקס:: 02-5714455
דוא"ל:: ipo@jmb.co.il

סוכן

שם:: ג'יי אמ בי דייויס בן-דוד
כתובת:: מרכז בק למדע, הרטום 8, הר חוצבים, ירושלים 9777401
מדינה:: ישראל
טלפון:: 02-5714777
פקס:: 02-5714455
דוא"ל:: ipo@jmb.co.il

מסמכים

פטנטים דומים