שיטה ליצור מבני סיליקון על מבודד מתוחים ומבני סיליקון על מבודד מתוחים - פטנט 178387 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 178387
שם האמצאה:: שיטה ליצור מבני סיליקון על מבודד מתוחים ומבני סיליקון על מבודד מתוחים
שם באנגלית:: METHOD FOR FABRICATING STRAINED SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURES AND STRAINED SILICON-ON-INSULATOR STRUCTURES FORMED THEREBY

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2005/096372	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
31/03/2004	דין קדימה	10/814482	ארה"ב (US)
22/03/2005	בקשה בינלאומית	PCT/EP/2005/051319	משרד הפטנטים האירופי (EP)
28/09/2006	בקשת PCT	178387	ישראל (IL)
30/12/2010	פרסום לאומי	178387	ישראל (IL)

מגיש

שם:: IBM CORPORATION
כתובת:: NEW ORCHARD ROAD, ARMONK, N.Y. 10504 , US
מדינה:: ארה"ב

מסירת הודעות

שם:: מעבדות יבמ מחלקת קנין רוחני
כתובת:: אוניברסיטת חיפה הר הכרמל, חיפה 31905
מדינה:: ישראל

סוכן

שם:: מעבדות יבמ מחלקת קנין רוחני
כתובת:: אוניברסיטת חיפה הר הכרמל, חיפה 31905
מדינה:: ישראל

מסמכים

פטנטים דומים