סיליקון מתוח על מבודד ושיטה לייצורו - פטנט 169141 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 169141
שם האמצאה:: סיליקון מתוח על מבודד ושיטה לייצורו
שם באנגלית:: STRAINED-SILICON-ON-INSULATOR (SSOI) AND A METHOD TO FORM THE SAME

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2004/061921	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
19/12/2002	דין קדימה	10/326437	ארה"ב (US)
02/12/2003	בקשה בינלאומית	PCT/US/2003/038334	ארה"ב (US)
14/06/2005	בקשת PCT	169141	ישראל (IL)
29/04/2010	פרסום לאומי	169141	ישראל (IL)

מגיש

שם:: IBM CORPORATION
כתובת:: NEW ORCHARD ROAD, ARMONK, N.Y. 10504 , US
מדינה:: ארה"ב

מסירת הודעות

שם:: מעבדות יבמ מחלקת קנין רוחני
כתובת:: אוניברסיטת חיפה הר הכרמל, חיפה 31905
מדינה:: ישראל

סוכן

שם:: מעבדות יבמ מחלקת קנין רוחני
כתובת:: אוניברסיטת חיפה הר הכרמל, חיפה 31905
מדינה:: ישראל

מסמכים

פטנטים דומים