שיטת יצור של מבדד על SiGe שהינו באיכות גבוהה ורפה לישומים CMOS עם Si הדוק - פטנט 163124 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 163124
שם האמצאה:: שיטת יצור של מבדד על SiGe שהינו באיכות גבוהה ורפה לישומים CMOS עם Si הדוק
שם באנגלית:: METHOD OF CREATING HIGH-QUALITY RELAXED SiGe-ON-INSULATOR FOR STRAINED Si CMOS APPLICATIONS

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2003/063229	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
23/01/2002	דין קדימה	055138	ארה"ב (US)
16/01/2003	בקשה בינלאומית	PCT/US/2003/001431	ארה"ב (US)
21/07/2004	בקשת PCT	163124	ישראל (IL)
26/11/2008	פרסום לאומי	163124	ישראל (IL)

מגיש

שם:: IBM CORPORATION
כתובת:: NEW ORCHARD ROAD, ARMONK, N.Y.10504 , US
מדינה:: ארה"ב

מסירת הודעות

שם:: מעבדות יבמ מחלקת קנין רוחני
כתובת:: אוניברסיטת חיפה הר הכרמל, חיפה 31905
מדינה:: ישראל

סוכן

שם:: מעבדות יבמ מחלקת קנין רוחני
כתובת:: אוניברסיטת חיפה הר הכרמל, חיפה 31905
מדינה:: ישראל

מסמכים

פטנטים דומים