התקני מצע/SOMC מבודד בעלי דליפה נמוכה ושיטה לבנייתם - פטנט 85198 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 85198
שם האמצאה:: התקני מצע/SOMC מבודד בעלי דליפה נמוכה ושיטה לבנייתם
שם באנגלית:: LOW LEAKAGE CMOS/INSULATOR SUBSTRATE DEVICES AND METH0D OF FORMING THE SAME

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
24/02/1987	דין קדימה	17498	ארה"ב (US)
26/01/1988	בקשה לאומית	85198	ישראל (IL)
06/09/1992	פרסום לאומי	85198	ישראל (IL)

מגיש

שם:: HUGHES AIRCRAFT COMPANY
כתובת:: 7200 HUGHES TERRACE P.O.BOX 80028 LOS ANGELES, CALIFORNIA , US
מדינה:: ארה"ב

מסירת הודעות

שם:: סנפורד ט. קולב ושות'
כתובת:: שער הגיא 4, מרמורק, רחובות 76122
מדינה:: ישראל
טלפון:: 08-9455122
פקס:: 08-9454556
דוא"ל:: colbpat@stc.co.il

סוכן

שם:: סנפורד ט. קולב ושות'
כתובת:: שער הגיא 4, מרמורק, רחובות 76122
מדינה:: ישראל
טלפון:: 08-9455122
פקס:: 08-9454556
דוא"ל:: colbpat@stc.co.il

מסמכים

פטנטים דומים