קונץ פטנט
ראשי
חיפוש פטנטים
אודות
צור קשר
אילוץ מבנה של התקני FINFET CMOS
פטנט 168762
כללי
מספר פטנט:
168762
שם האמצאה:
אילוץ מבנה של התקני FINFET CMOS
שם באנגלית:
STRAINED FINFET CMOS DEVICE STRUCTURES
בקשות ופרסומים
תאריך
סוג
מספר
מדינה
פרסום בינלאומי
2004/049406
הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
25/11/2002
בקשה בינלאומית
PCT/US/2002/037931
ארה"ב (US)
24/05/2005
בקשת PCT
168762
ישראל (IL)
05/02/2006
פרסום לאומי
168762
ישראל (IL)
מגיש
שם:
IBM CORPORATION
פטנטים דומים
התקן הדמייה CMOS
מבנה מקושר השימושי בעת יצור של התקן CMOS
שיטת יצור של מבדד על SiGe שהינו באיכות גבוהה ורפה לישומים CMOS עם Si הדוק
סינתסייזר SOMC מופע שעון
שלב מוצא SOMC בעל עכבה נמוכה ושיטה