תהליך שיקוע דו תחמוצת סיליקון בטמפרטורה נמוכה - פטנט 116620 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 116620
שם האמצאה:: תהליך שיקוע דו תחמוצת סיליקון בטמפרטורה נמוכה
שם באנגלית:: PROCESS FOR LOW TEMPERATURE DEPOSITION SILICON DIOXIDE

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
04/01/1995	דין קדימה	368571	ארה"ב (US)
29/12/1995	בקשה לאומית	116620	ישראל (IL)
31/03/1996	פרסום לאומי	116620	ישראל (IL)

מגיש

שם:: AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

פטנטים דומים