כללי
מספר פטנט:
42249
שם האמצאה:
תהליך לייצור כרומים של דו תחמוצת הצורן ושל קרביד הצורן ושיטה להכנת התקנים מוליכים למחצה
שם באנגלית:
PROCESS OF PRODUCING FILMS OF SILICON DIOXIDE AND SILIVON CARBIDEAND METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR DEVICE
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
בקשה לאומית 42249 ישראל (IL)
פרסום לאומי 42249 ישראל (IL)
  מגיש
שם:
YISSUM RESEARCH DEVELOPMENT COMPANY OF THE HEBREW UNIVERSITY OF JERUSALEM LTD.
כתובת:
HI TECH PARK THE EDMOND J. SAFRA CAMPUS GIVAT RAM P.O.B 39135 JERUSALEM 9139002 , IL
מדינה:
ישראל
  מסירת הודעות
שם:
איתן, פרל, לצר וכהן צדק
כתובת:
רחוב שנקר 7, הרצליה 46733
מדינה:
ישראל
טלפון:
09-9726000
פקס:
03-9709001
דוא"ל:
ilpto@pczlaw.com
  סוכן
שם:
איתן, פרל, לצר וכהן צדק
כתובת:
רחוב שנקר 7, הרצליה 46733
מדינה:
ישראל
טלפון:
09-9726000
פקס:
03-9709001
דוא"ל:
ilpto@pczlaw.com