קונץ פטנט
ראשי
חיפוש פטנטים
אודות
צור קשר
תהליך לייצור כרומים של דו תחמוצת הצורן ושל קרביד הצורן ושיטה להכנת התקנים מוליכים למחצה
פטנט 42249
כללי
מספר פטנט:
42249
שם האמצאה:
תהליך לייצור כרומים של דו תחמוצת הצורן ושל קרביד הצורן ושיטה להכנת התקנים מוליכים למחצה
שם באנגלית:
PROCESS OF PRODUCING FILMS OF SILICON DIOXIDE AND SILIVON CARBIDEAND METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR DEVICE
בקשות ופרסומים
תאריך
סוג
מספר
מדינה
11/05/1973
בקשה לאומית
42249
ישראל (IL)
30/07/1976
פרסום לאומי
42249
ישראל (IL)
מגיש
שם:
YISSUM RESEARCH DEVELOPMENT COMPANY OF THE HEBREW UNIVERSITY OF JERUSALEM LTD.
כתובת:
HI TECH PARK THE EDMOND J. SAFRA CAMPUS GIVAT RAM P.O.B 39135 JERUSALEM 9139002 , IL
מדינה:
ישראל
מסירת הודעות
שם:
איתן, פרל, לצר וכהן צדק
כתובת:
רחוב שנקר 7, הרצליה 46733
מדינה:
ישראל
טלפון:
09-9726000
פקס:
03-9709001
דוא"ל:
ilpto@pczlaw.com
סוכן
שם:
איתן, פרל, לצר וכהן צדק
כתובת:
רחוב שנקר 7, הרצליה 46733
מדינה:
ישראל
טלפון:
09-9726000
פקס:
03-9709001
דוא"ל:
ilpto@pczlaw.com
מסמכים
פרטי הבקשה
שרטוטים
תביעות
פטנטים דומים
תהליך להכנת 1,2-בנזאיזותיאזול-3-און1,1 דיאוקסיד
תהליך שיקוע דו תחמוצת סיליקון בטמפרטורה נמוכה
יצור שכבה של דו-תחמוצת הסיליקון וסיליקון אוקסיניטריד ע" י שימוש ב-ביס (בוטילאמינושלישוני) סילן
שיטה לייצור פר-תחמוצת הכלור
תולדות 1,2,4-בנזותיאדיאזפין 1,1- דיאוקסיד