שיטה לייצור של התקן מוליך למחצה תוך יישום של שכבת קרבן - פטנט 201926 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 201926
שם האמצאה:: שיטה לייצור של התקן מוליך למחצה תוך יישום של שכבת קרבן
שם באנגלית:: METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE IMPLEMENTING A SACRIFICIAL LAYER

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2002/103791	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
28/03/2001	דין קדימה	09/821415	ארה"ב (US)
26/03/2002	בקשה בינלאומית	PCT/US/2002/009617	ארה"ב (US)
04/11/2009	בקשת PCT	201926	ישראל (IL)
16/06/2010	פרסום לאומי	201926	ישראל (IL)

מגיש

שם:: LAM RESEARCH CORPORATION

מגיש/ממציא

שם:: YEHIEL GOTKIS

מגיש/ממציא

שם:: DAVID WEI

מגיש/ממציא

שם:: RODNEY KISTLER

פטנטים דומים