מבנה מוליך למחצה המיישם חומר נפסד - פטנט 157828 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 157828
שם האמצאה:: מבנה מוליך למחצה המיישם חומר נפסד
שם באנגלית:: SEMICONDUCTOR STRUCTURE IMPLEMENTING SACRIFICIAL MATERIAL

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2002/103791	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
28/03/2001	דין קדימה	821415	ארה"ב (US)
26/03/2002	בקשה בינלאומית	PCT/US/2002/009617	ארה"ב (US)
09/09/2003	בקשת PCT	157828	ישראל (IL)
16/06/2010	פרסום לאומי	157828	ישראל (IL)

מגיש

שם:: LAM RESEARCH CORPORATION
כתובת:: 4650 CUSHING PARKWAY FREMONT, CA 94538-6470 , US
מדינה:: ארה"ב

מגיש/ממציא

שם:: YEHIEL GOTKIS

מגיש/ממציא

שם:: DAVID WEI

מגיש/ממציא

שם:: RODNEY KISTLER

מסירת הודעות

שם:: ג'יי אמ בי דייויס בן-דוד
כתובת:: מרכז בק למדע, הרטום 8, הר חוצבים, ירושלים 9777401
מדינה:: ישראל
טלפון:: 02-5714777
פקס:: 02-5714455
דוא"ל:: ipo@jmb.co.il

סוכן

שם:: ג'יי אמ בי דייויס בן-דוד
כתובת:: מרכז בק למדע, הרטום 8, הר חוצבים, ירושלים 9777401
מדינה:: ישראל
טלפון:: 02-5714777
פקס:: 02-5714455
דוא"ל:: ipo@jmb.co.il

מסמכים

פטנטים דומים