כללי
מספר פטנט:
180025
שם האמצאה:
שיטה לחרוט תוך פלאזמה על חומר דו–שכבתי
שם באנגלית:
METHOD FOR BILAYER RESIST PLASMA ETCH
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
פרסום בינלאומי 2006/004693 הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
דין קדימה 10/882842 ארה"ב (US)
בקשה בינלאומית PCT/US/2005/022809 ארה"ב (US)
בקשת PCT 180025 ישראל (IL)
פרסום לאומי 180025 ישראל (IL)
  מגיש
שם:
LAM RESEARCH CORPORATION
כתובת:
4650 CUSHING PARKWAY FREMONT, CA 94538-6470 , US
מדינה:
ארה"ב
  מגיש/ממציא
שם:
WENDY NGUYEN
  מגיש/ממציא
שם:
CHRIS LEE
  מסירת הודעות
שם:
ג'יי אמ בי דייויס בן-דוד
כתובת:
מרכז בק למדע, הרטום 8, הר חוצבים, ירושלים 9777401
מדינה:
ישראל
טלפון:
02-5714777
פקס:
02-5714455
דוא"ל:
ipo@jmb.co.il
  סוכן
שם:
ג'יי אמ בי דייויס בן-דוד
כתובת:
מרכז בק למדע, הרטום 8, הר חוצבים, ירושלים 9777401
מדינה:
ישראל
טלפון:
02-5714777
פקס:
02-5714455
דוא"ל:
ipo@jmb.co.il