תא זיכרון של שני ביטים לא פגיע, ניתן לתיכנות, ולמחיקה חשמלית, המשתמש בלכידת מטענים אסימטרית - פטנט 157289 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 157289
שם האמצאה:: תא זיכרון של שני ביטים לא פגיע, ניתן לתיכנות, ולמחיקה חשמלית, המשתמש בלכידת מטענים אסימטרית
שם באנגלית:: TWO BIT NON-VOLATILE ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL UTILIZING ASYMMETRICAL CHARGE TRAPPING

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	1999/007000	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
01/08/1997	דין קדימה	905286	ארה"ב (US)
02/08/1998	בקשה בינלאומית	PCT/IL/1998/000363	ישראל (IL)
06/08/2003	בקשת PCT	157289	ישראל (IL)
19/02/2004	פרסום לאומי	157289	ישראל (IL)

מגיש

שם:: SAIFUN SEMICONDUCTORS LTD.

פטנטים דומים