תא זיכרון של שני ביטים לא פגיע, ניתן לתיכנות, ולמחיקה חשמלית, המשתמש בלכידת מטענים אסימטרית - פטנט 134304 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 134304
שם האמצאה:: תא זיכרון של שני ביטים לא פגיע, ניתן לתיכנות, ולמחיקה חשמלית, המשתמש בלכידת מטענים אסימטרית
שם באנגלית:: TWO BIT NON-VOLATILE ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL UTILIZING ASYMMETRICAL CHARGE TRAPPING

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	1999/007000	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
01/08/1997	דין קדימה	905286	ארה"ב (US)
02/08/1998	בקשה בינלאומית	PCT/IL/1998/000363	ישראל (IL)
31/01/2000	בקשת PCT	134304	ישראל (IL)
25/07/2004	פרסום לאומי	134304	ישראל (IL)

מגיש

שם:: SAIFUN SEMICONDUCTORS LTD.
כתובת:: ELROD BUILDING 45 HAMELACHA ST SAPIR INDUSTRIAL AREA NETANYA , IL
מדינה:: ישראל

מסירת הודעות

שם:: איתן, פרל, לצר וכהן צדק
כתובת:: רחוב שנקר 7, הרצליה 46733
מדינה:: ישראל
טלפון:: 09-9726000
פקס:: 03-9709001
דוא"ל:: ilpto@pczlaw.com

סוכן

שם:: איתן, פרל, לצר וכהן צדק
כתובת:: רחוב שנקר 7, הרצליה 46733
מדינה:: ישראל
טלפון:: 09-9726000
פקס:: 03-9709001
דוא"ל:: ilpto@pczlaw.com

מסמכים

פטנטים דומים