תא זכרון בלתי נדיף חצי מוליך הניתן לתכנות ומחיקה חשמליים והמנצל לכידת מטען אסימטרית - פטנט 125604 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 125604
שם האמצאה:: תא זכרון בלתי נדיף חצי מוליך הניתן לתכנות ומחיקה חשמליים והמנצל לכידת מטען אסימטרית
שם באנגלית:: NON-VOLATILE ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE SEMICONDUCTOR MEMORY CELL UTILIZING ASYMMETRICAL CHARGE

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
30/07/1997	דין קדימה	902890	ארה"ב (US)
30/07/1998	בקשה לאומית	125604	ישראל (IL)
28/03/2004	פרסום לאומי	125604	ישראל (IL)

מגיש

שם:: SAIFUN SEMICONDUCTORS LTD.
כתובת:: ELROD BUILDING 45 HAMELACHA ST SAPIR INDUSTRIAL AREA NETANYA , IL
מדינה:: ישראל

מסירת הודעות

שם:: איתן, פרל, לצר וכהן צדק
כתובת:: רחוב שנקר 7, הרצליה 46733
מדינה:: ישראל
טלפון:: 09-9726000
פקס:: 03-9709001
דוא"ל:: ilpto@pczlaw.com

סוכן

שם:: איתן, פרל, לצר וכהן צדק
כתובת:: רחוב שנקר 7, הרצליה 46733
מדינה:: ישראל
טלפון:: 09-9726000
פקס:: 03-9709001
דוא"ל:: ilpto@pczlaw.com

מסמכים

פטנטים דומים