כללי
מספר פטנט:
137212
שם האמצאה:
התקן מוליך למחצה בעל יריעה מבודדת העשויה מיריעת פחמן בתוספת פלואור ושיטה לייצורו של התקן זה
שם באנגלית:
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING INSULATING FILM OF FLUORINE-ADDED CARBON FILM AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
פרסום בינלאומי 1999/035684 הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
דין קדימה 10-14956 יפן (JP)
דין קדימה 10-316857 יפן (JP)
בקשה בינלאומית PCT/JP/1999/000034 יפן (JP)
בקשת PCT 137212 ישראל (IL)
פרסום לאומי 137212 ישראל (IL)
  מגיש
שם:
TOKYO ELECTRON LTD
כתובת:
3-6 AKASAKA 5-CHOME MINATO-KU TOKYO 107-8481 , JP
מדינה:
יפן
  מסירת הודעות
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il
  סוכן
שם:
לוצאטו את לוצאטו
כתובת:
גן תעשייה, עומר, באר שבע 84152
מדינה:
ישראל
טלפון:
0732262626
פקס:
073-2262627
דוא"ל:
ilpto@luzzatto.co.il
  סוכן
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il