התקן שכבה דקה להמרה פוטואלקטרית ושיטה להכנת התקן שכבה דקה להמרה פוטואלקטרית - פטנט 213386 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 213386
שם האמצאה:: התקן שכבה דקה להמרה פוטואלקטרית ושיטה להכנת התקן שכבה דקה להמרה פוטואלקטרית
שם באנגלית:: THIN FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2010/067398	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
10/12/2008	בקשה בינלאומית	PCT/JP/2008/003686	יפן (JP)
05/06/2011	בקשת PCT	213386	ישראל (IL)
31/07/2011	פרסום לאומי	213386	ישראל (IL)

סיווגים (IPC)

H01L: חשמל > אלמנטים חשמליים בסיסיים

מגיש

שם:: SI-NANO INC

פטנטים דומים