שיטה בעלת אחוזי פגם נמוכים בהצטלבות וביצירת בידוד בחומרים מוליכים למחצה - פטנט 93702 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 93702
שם האמצאה:: שיטה בעלת אחוזי פגם נמוכים בהצטלבות וביצירת בידוד בחומרים מוליכים למחצה
שם באנגלית:: METHOD OF LOW DEFECT JUNCTION AND ISOLATION FORMATION IN SEMICONDUCTOR MATERIAL

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
05/06/1989	דין קדימה	361452	ארה"ב (US)
11/03/1990	בקשה לאומית	93702	ישראל (IL)
14/01/1993	פרסום לאומי	93702	ישראל (IL)

מגיש

שם:: SANTA BARBARA RESEARCH CENTER
כתובת:: 75 COROMAR DRIVE GOLETA, CALIFORNIA , US
מדינה:: ארה"ב

מסירת הודעות

שם:: סנפורד ט. קולב ושות'
כתובת:: שער הגיא 4, מרמורק, רחובות 76122
מדינה:: ישראל
טלפון:: 08-9455122
פקס:: 08-9454556
דוא"ל:: colbpat@stc.co.il

סוכן

שם:: סנפורד ט. קולב ושות'
כתובת:: שער הגיא 4, מרמורק, רחובות 76122
מדינה:: ישראל
טלפון:: 08-9455122
פקס:: 08-9454556
דוא"ל:: colbpat@stc.co.il

מסמכים

פטנטים דומים