מערכת לייצור מבנים שכבתיים של מוליכים למחצה ע" י גידול אפיטקסיאלי - פטנט 75731 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 75731
שם האמצאה:: מערכת לייצור מבנים שכבתיים של מוליכים למחצה ע" י גידול אפיטקסיאלי
שם באנגלית:: SYSTEM FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAYER STRUCTURES BY WAY OF EPITAXIAL GROWTH

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
23/07/1984	דין קדימה	P3427056.6	גרמניה (DE)
05/07/1985	בקשה לאומית	75731	ישראל (IL)
31/07/1989	פרסום לאומי	75731	ישראל (IL)

מגיש

שם:: ALCATEL N.V.
כתובת:: STRAWINSKYLAAN 341 Amsterdam , NL
מדינה:: הולנד

מסירת הודעות

שם:: ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:: רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:: ישראל
טלפון:: 03-7109333
פקס:: 03-5606405
דוא"ל:: rasham@rcip.co.il

סוכן

שם:: ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:: רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:: ישראל
טלפון:: 03-7109333
פקס:: 03-5606405
דוא"ל:: rasham@rcip.co.il

מסמכים

פטנטים דומים