קונץ פטנט
ראשי
חיפוש פטנטים
אודות
צור קשר
שיטה ליצירת CMOS דו-קוטבי על מצב גבישי
פטנט 138134
כללי
מספר פטנט:
138134
שם האמצאה:
שיטה ליצירת CMOS דו-קוטבי על מצב גבישי
שם באנגלית:
METHOD FOR EPITAXIAL BIPOLAR BICMOS
בקשות ופרסומים
תאריך
סוג
מספר
מדינה
12/11/1999
דין קדימה
439067
ארה"ב (US)
28/08/2000
בקשה לאומית
138134
ישראל (IL)
10/12/2003
פרסום לאומי
138134
ישראל (IL)
מגיש
שם:
IBM CORPORATION
כתובת:
NEW ORCHARD ROAD, ARMONK, N.Y.10504 , US
מדינה:
ארה"ב
מסירת הודעות
שם:
IBM ישראל - מחלקת קניין רוחני - מעבדות מחקר ופיתוח
כתובת:
קמפוס אוניברסיטת חיפה הר הכרמל, חיפה 31905
מדינה:
ישראל
דוא"ל:
suzanne@il.ibm.com
סוכן
שם:
IBM ישראל - מחלקת קניין רוחני - מעבדות מחקר ופיתוח
כתובת:
קמפוס אוניברסיטת חיפה הר הכרמל, חיפה 31905
מדינה:
ישראל
דוא"ל:
suzanne@il.ibm.com
סוכן
שם:
סנפורד ט. קולב ושות'
כתובת:
שער הגיא 4, מרמורק, רחובות 76122
מדינה:
ישראל
טלפון:
08-9455122
פקס:
08-9454556
דוא"ל:
colbpat@stc.co.il
מסמכים
פרטי הבקשה
שרטוטים
תביעות
פטנטים דומים
אלילתלורידים ושימושם בגידול ה-DVCOMשל קבוצת קרומי אפיתאקסיאל II-IV
מערכת לייצור מבנים שכבתיים של מוליכים למחצה ע" י גידול אפיטקסיאלי
סוללה דו קוטבית
מקור דיאתילביליום דופנט של DVCOM אפיטקסיאל חצי קונדוקטור שכבות
שיטה והתקן עבור השקעה תבניתית של מבנים אפיטקסיאלים