קונץ פטנט
ראשי
חיפוש פטנטים
אודות
צור קשר
מקור דיאתילביליום דופנט של DVCOM אפיטקסיאל חצי קונדוקטור שכבות
פטנט 71193
כללי
מספר פטנט:
71193
שם האמצאה:
מקור דיאתילביליום דופנט של DVCOM אפיטקסיאל חצי קונדוקטור שכבות
שם באנגלית:
DIETHYLBERYLLIUM DOPANT SOURCE FOR MOCVD GROWN EPITAXIAL SEMICONDUCTORLAYERS
בקשות ופרסומים
תאריך
סוג
מספר
מדינה
04/04/1983
דין קדימה
482091
ארה"ב (US)
09/03/1984
בקשה לאומית
71193
ישראל (IL)
30/10/1987
פרסום לאומי
71193
ישראל (IL)
מגיש
שם:
HUGHES AIRCRAFT COMPANY
כתובת:
7200 HUGHES TERRACE P.O.BOX 80028 LOS ANGELES, CALIFORNIA , US
מדינה:
ארה"ב
מסירת הודעות
שם:
סנפורד ט. קולב ושות'
כתובת:
שער הגיא 4, מרמורק, רחובות 76122
מדינה:
ישראל
טלפון:
08-9455122
פקס:
08-9454556
דוא"ל:
colbpat@stc.co.il
סוכן
שם:
סנפורד ט. קולב ושות'
כתובת:
שער הגיא 4, מרמורק, רחובות 76122
מדינה:
ישראל
טלפון:
08-9455122
פקס:
08-9454556
דוא"ל:
colbpat@stc.co.il
מסמכים
פרטי הבקשה
תביעות
פטנטים דומים
מקור אילוח למוליכים למחצה ווייצורו
שיטה ליצירת CMOS דו-קוטבי על מצב גבישי
תחמוצת סיכוך עבור אזורי מקור וקליטה המיוצרת ממקור אילוח מוצק
אלילתלורידים ושימושם בגידול ה-DVCOMשל קבוצת קרומי אפיתאקסיאל II-IV
מערכת לייצור מבנים שכבתיים של מוליכים למחצה ע" י גידול אפיטקסיאלי