קונץ פטנט
ראשי
חיפוש פטנטים
אודות
צור קשר
תהליך לייצור התקני מוליכים למחצה בדידים או מעגלים משולבים וההתקנים המופקים ע" י תהליך זה
פטנט 35481
כללי
מספר פטנט:
35481
שם האמצאה:
תהליך לייצור התקני מוליכים למחצה בדידים או מעגלים משולבים וההתקנים המופקים ע" י תהליך זה
שם באנגלית:
A PROCESS FOR PRODUCING DISCRETE SEMICONDUCTOR DEVICES OR INTEGRATEDCIRCUITS, AND THE DEVICES OBTAINED BY SAID PROCESS
בקשות ופרסומים
תאריך
סוג
מספר
מדינה
19/10/1970
בקשה לאומית
35481
ישראל (IL)
30/03/1973
פרסום לאומי
35481
ישראל (IL)
מגיש
שם:
SOCIETA GENERALE SEMICONDUTTORI S.P.A-S.G.S.
כתובת:
AGRATE BRIANZA , IT
מדינה:
איטליה
מסירת הודעות
שם:
א.י. מלפורד
כתובת:
רחוב שלומציון המלכה 11, ירושלים 91004
מדינה:
ישראל
טלפון:
02-6231122
סוכן
שם:
א.י. מלפורד
כתובת:
רחוב שלומציון המלכה 11, ירושלים 91004
מדינה:
ישראל
טלפון:
02-6231122
מסמכים
פרטי הבקשה
שרטוטים
תביעות
פטנטים דומים
שיטה והתקן לייצור המוני של מכשירים המוליכים למחצה
תהליך לייצור של תולדות אקסטיינאסידין ותוצרי ביניים הנוצרים בו
שיטה להכנת מכשירים רפואיים שבהם התרופות הורחקו באמצעות המסה(שטיפה), ומתקנים להפעלת השיטה הזו
שיטה ייצור של התקנים מונוליתיים מוליכים למחצה
שיטת ייצור של התקנים מונוליתיים מוליכים למחצה