שיטת ייצור של התקנים מונוליתיים מוליכים למחצה - פטנט 31358 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 31358
שם האמצאה:: שיטת ייצור של התקנים מונוליתיים מוליכים למחצה
שם באנגלית:: METHOD OF FABRICATING MONOLITHIC SEMICONDUCTOR DEVICES

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
01/01/1969	בקשה לאומית	31358	ישראל (IL)
29/11/1971	פרסום לאומי	31358	ישראל (IL)

מגיש

שם:: WESTERN ELECTRIC COMPANY, INC
כתובת:: NEW YORK, N.Y. , US
מדינה:: ארה"ב

מסירת הודעות

שם:: ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:: רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:: ישראל
טלפון:: 03-7109333
פקס:: 03-5606405
דוא"ל:: rasham@rcip.co.il

סוכן

שם:: ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:: רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:: ישראל
טלפון:: 03-7109333
פקס:: 03-5606405
דוא"ל:: rasham@rcip.co.il

מסמכים

פטנטים דומים