מתז מטרה טנטאלום, שיטה לייצורו, וסרט מחסום עבור חיווט מוליך למחצה המיוצר באמצעות שימוש במטרה פטנט 233564
כללי
מספר פטנט:
233564
שם האמצאה:
מתז מטרה טנטאלום, שיטה לייצורו, וסרט מחסום עבור חיווט מוליך למחצה המיוצר באמצעות שימוש במטרה
שם באנגלית:
TANTALUM SPUTTERING TARGET, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND BARRIER FILM FOR SEMICONDUCTOR WIRING FORMED BY USING TARGET
בקשות ופרסומים
תאריך
סוג
מספר
מדינה
פרסום בינלאומי
2013/141231
הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
דין קדימה
2012-063157
יפן (JP)
בקשה בינלאומית
PCT/JP/2013/057790
יפן (JP)
בקשת PCT
233564
ישראל (IL)
פרסום לאומי
233564
ישראל (IL)
סיווגים (IPC)
C23C : כימיה, מטלורגיה > ציפוי חומרים מתכתיים; ציפוי חומרים עם חומר מתכתי; טיפול כימי במשטח; טיפול דיפוזיה של חומר מתכתי; ציפוי באמצעות אידוי בריק, ע"י התזה, ע"י השרשת יונים או ע"י ריבוץ באדים כימיים, באופן כללי; מניעת קורוזיה של חומר מתכתי או הקרמה באופן כללי