כללי
מספר פטנט:
229779
שם האמצאה:
תהליך לייצור התקנים מוליכים למחצה הכולל הברקה מכאנית כימית של יסוד גרמניום ו/או חומר i1–xGex – S בנוכחות תכשיר הברקה מכאני כימי בעל ערך pH של 3 עד 5.5
שם באנגלית:
A PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICES COMPRISING THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING OF ELEMENTAL GERMANIUM AND/OR Si1-xGex MATERIAL IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION HAVING A pH VALUE OF 3.0 TO 5.5
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
פרסום בינלאומי 2013/018016 הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
דין קדימה 61/513691 ארה"ב (US)
בקשה בינלאומית PCT/IB/2012/053878 הלשכה הבינלאומית (IB)
בקשת PCT 229779 ישראל (IL)
פרסום לאומי 229779 ישראל (IL)
  סיווגים (IPC)
  • B24B: תחבורה > טחינה; ליטוש