גבישים זעירים הבנויים מגרעין מוליך למחצה III–V מצופה בשכבות - פטנט 187386 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 187386
שם האמצאה:: גבישים זעירים הבנויים מגרעין מוליך למחצה III–V מצופה בשכבות
שם באנגלית:: III-V SEMICONDUCTOR CORE-HETEROSHELL NANOCRYSTALS

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2006/134599	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
15/06/2005	דין קדימה	60/690474	ארה"ב (US)
15/06/2006	בקשה בינלאומית	PCT/IL/2006/000695	ישראל (IL)
15/11/2007	בקשת PCT	187386	ישראל (IL)
31/10/2012	פרסום לאומי	187386	ישראל (IL)

מגיש

שם:: YISSUM RESEARCH DEVELOPMENT COMPANY OF THE HEBREW UNIVERSITY OF JERUSALEM
כתובת:: HI-TECH PARK, GIVAT RAM THE EDMOND SAFRA CAMPUS JERUSALEM 91390 , IL
מדינה:: ישראל

מסירת הודעות

שם:: ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:: רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:: ישראל
טלפון:: 03-7109333
פקס:: 03-5606405
דוא"ל:: rasham@rcip.co.il

סוכן

שם:: ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:: רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:: ישראל
טלפון:: 03-7109333
פקס:: 03-5606405
דוא"ל:: rasham@rcip.co.il

מסמכים

פטנטים דומים