כללי
מספר פטנט:
149917
שם האמצאה:
שיטה לטיפול בסולפידיזציה של פני שטח של מוליך למחצה המכילים תרכובות V-III
שם באנגלית:
METHOD FOR THE SULPHIDATION TREATMENT OF III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR SURFACES
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
דין קדימה 01/07166 צרפת (FR)
בקשה לאומית 149917 ישראל (IL)
פרסום לאומי 149917 ישראל (IL)
  מגיש
שם:
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE(C.N.R.S)
כתובת:
3 RUE MICHEL ANGE, 75016 PARIS CEDEX 16 , FR
מדינה:
צרפת
  מגיש
שם:
SAGEM DEFENSE SECURITE
כתובת:
LE PONANT DE PARIS 27, RUE LEBLANC 75015 PARIS , FR
מדינה:
צרפת
  מגיש
שם:
SAFRAN
כתובת:
2 BOULEVARD DU GENERAL MARTIAL VALIN 75724 PARIS CEDEX 15 , FR
מדינה:
צרפת
  מסירת הודעות
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il