כללי
מספר פטנט:
186729
שם האמצאה:
שיטה להסרת מיסוך בנוכחות חומרים מבודדים בעלי K נמוך רגילים ו/או K נמוך נקבוביים
שם באנגלית:
METHOD FOR RESIST STRIP IN PRESENCE OF REGULAR LOW K AND/OR POROUS LOW K DIELECTRIC MATERIALS
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
פרסום בינלאומי 2006/122119 הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
דין קדימה 11/126648 ארה"ב (US)
בקשה בינלאומית PCT/US/2006/017917 ארה"ב (US)
בקשת PCT 186729 ישראל (IL)
פרסום לאומי 186729 ישראל (IL)
  מגיש
שם:
LAM RESEARCH CORPORATION
כתובת:
4650 CUSHING PARKWAY FREMONT, CA 94538-6470 , US
מדינה:
ארה"ב
  מגיש/ממציא
שם:
REZA SADJADI
  מגיש/ממציא
שם:
HELEN ZHU
  מסירת הודעות
שם:
ג'יי אמ בי דייויס בן-דוד
כתובת:
מרכז בק למדע, הרטום 8, הר חוצבים, ירושלים 9777401
מדינה:
ישראל
טלפון:
02-5714777
פקס:
02-5714455
דוא"ל:
ipo@jmb.co.il