שיטה לייצור שכבות דיאלקטריות בעלות מקדם דיאלקטרי נמוך, עבור מוליכים על שבבי סיליקון, שהן בעלות אדהזיה משופרת וצפיפות פגמים נמוכה - פטנט 157506 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 157506
שם האמצאה:: שיטה לייצור שכבות דיאלקטריות בעלות מקדם דיאלקטרי נמוך, עבור מוליכים על שבבי סיליקון, שהן בעלות אדהזיה משופרת וצפיפות פגמים נמוכה
שם באנגלית:: METHOD OF FABRICATING LOW-DIELECTRIC CONSTANT INTERLEVEL DIELECTRIC FILMS FOR BEOL INTERCONNECTS WITH ENHANCED ADHESION AND LOW-DEFECT DENSITY

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2002/069381	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
21/02/2001	דין קדימה	09/789422	ארה"ב (US)
19/02/2002	בקשה בינלאומית	PCT/US/2002/004879	ארה"ב (US)
21/08/2003	בקשת PCT	157506	ישראל (IL)
03/06/2007	פרסום לאומי	157506	ישראל (IL)

מגיש

שם:: IBM CORPORATION
כתובת:: NEW ORCHARD ROAD, ARMONK, N.Y. 10504 , US
מדינה:: ארה"ב

מסירת הודעות

שם:: מעבדות יבמ
כתובת:: אוניברסיטת חיפה הר הכרמל, חיפה 31905
מדינה:: ישראל

סוכן

שם:: מעבדות יבמ
כתובת:: אוניברסיטת חיפה הר הכרמל, חיפה 31905
מדינה:: ישראל

מסמכים

פטנטים דומים