חיתוך שכבות גביש יחיד ע" י שימוש בהחדרת יונים - פטנט 145808 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 145808
שם האמצאה:: חיתוך שכבות גביש יחיד ע" י שימוש בהחדרת יונים
שם באנגלית:: SLICING OF SINGLE-CRYSTAL FILMS USING ION IMPLANTATION

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2000/061841	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
09/04/1999	דין קדימה	09/289169	ארה"ב (US)
07/04/2000	בקשה בינלאומית	PCT/US/2000/009442	ארה"ב (US)
05/10/2001	בקשת PCT	145808	ישראל (IL)
20/03/2005	פרסום לאומי	145808	ישראל (IL)

מגיש

שם:: THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
כתובת:: 116TH STREET AND BROADWAY NEW YORK, N.Y. 10027 , US
מדינה:: ארה"ב

מסירת הודעות

שם:: ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:: רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:: ישראל
טלפון:: 03-7109333
פקס:: 03-5606405
דוא"ל:: rasham@rcip.co.il

סוכן

שם:: לוצאטו את לוצאטו
כתובת:: גן תעשייה, עומר, באר שבע 84152
מדינה:: ישראל
טלפון:: 0732262626
פקס:: 073-2262627
דוא"ל:: ilpto@luzzatto.co.il

סוכן

שם:: ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:: רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:: ישראל
טלפון:: 03-7109333
פקס:: 03-5606405
דוא"ל:: rasham@rcip.co.il

מסמכים

פטנטים דומים