התקן ושיטה להשתלת יון פלסמה עם אימפדנס גבוה - פטנט 107475 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 107475
שם האמצאה:: התקן ושיטה להשתלת יון פלסמה עם אימפדנס גבוה
שם באנגלית:: HIGH IMPEDANCE PLASMA ION IMPLANTATION METHOD AND APPARATUS

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
04/11/1992	דין קדימה	971433	ארה"ב (US)
02/11/1993	בקשה לאומית	107475	ישראל (IL)
10/03/1998	פרסום לאומי	107475	ישראל (IL)

מגיש

שם:: HUGHES AIRCRAFT COMPANY
כתובת:: 7200 HUGHES TERRACE P.O.BOX 80028 LOS ANGELES, CALIFORNIA , US
מדינה:: ארה"ב

מסירת הודעות

שם:: סנפורד ט. קולב ושות'
כתובת:: שער הגיא 4, מרמורק, רחובות 76122
מדינה:: ישראל
טלפון:: 08-9455122
פקס:: 08-9454556
דוא"ל:: colbpat@stc.co.il

סוכן

שם:: סנפורד ט. קולב ושות'
כתובת:: שער הגיא 4, מרמורק, רחובות 76122
מדינה:: ישראל
טלפון:: 08-9455122
פקס:: 08-9454556
דוא"ל:: colbpat@stc.co.il

מסמכים

פטנטים דומים