גנים המווסתים ע" י היפוקסיה - פטנט 141666 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 141666
שם האמצאה:: גנים המווסתים ע" י היפוקסיה
שם באנגלית:: HYPOXIA REGULATED GENES

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2000/012139	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
27/08/1998	דין קדימה	60/098158	ארה"ב (US)
05/05/1999	דין קדימה	60/132684	ארה"ב (US)
27/08/1999	בקשה בינלאומית	PCT/US/1999/020393	ארה"ב (US)
26/02/2001	בקשת PCT	141666	ישראל (IL)
10/03/2002	פרסום לאומי	141666	ישראל (IL)

מגיש

שם:: QUARK PHARMACEUTICALS, INC.

פטנטים דומים