קונץ פטנט
ראשי
חיפוש פטנטים
אודות
צור קשר
אופין רצפים בשעתוק של גן המווסת ע" י היפוקסיה
פטנט 141660
כללי
מספר פטנט:
141660
שם האמצאה:
אופין רצפים בשעתוק של גן המווסת ע" י היפוקסיה
שם באנגלית:
SEQUENCES CHARACTERISTIC OF HYPOXIA-REGULATED GENE TRANSCRIPTION
בקשות ופרסומים
תאריך
סוג
מספר
מדינה
פרסום בינלאומי
2000/012525
הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
27/08/1998
דין קדימה
60/098158
ארה"ב (US)
05/05/1999
דין קדימה
60/132684
ארה"ב (US)
27/08/1999
בקשה בינלאומית
PCT/US/1999/020394
ארה"ב (US)
26/02/2001
בקשת PCT
141660
ישראל (IL)
10/03/2002
פרסום לאומי
141660
ישראל (IL)
מגיש
שם:
QUARK PHARMACEUTICALS, INC.
פטנטים דומים
גנים המווסתים ע" י היפוקסיה
גן וחלבון המקושרים להעדר חמצן
רצפי ד.נ.א בעלי יכולת לויסות שעתוק ושיטות לגילוי ולשימוש ברצפים אילו
רצפי ד.נ.א. בעלי יכולת לויסות שעתוק ושיטות לגילוי ולשימוש ברצפים אלו
רצפי ד.נ.א בעלי יכולת לויסות שעתוק ושיטות לגילוי ולשימוש ברצפים אלו