קונץ פטנט
ראשי
חיפוש פטנטים
אודות
צור קשר
מקור קרינה מוצק המיוצר במקום, המבוסס על טונגסטן188/ רניום188 והשמוש בו
פטנט 122094
כללי
מספר פטנט:
122094
שם האמצאה:
מקור קרינה מוצק המיוצר במקום, המבוסס על טונגסטן188/ רניום188 והשמוש בו
שם באנגלית:
IN SITU-GENERATED SOLID RADIATION SOURCE BASED ON TUNGSTEN188/ RHENIUM188 AND THE USE THEREOF
בקשות ופרסומים
תאריך
סוג
מספר
מדינה
03/11/1997
בקשה לאומית
122094
ישראל (IL)
06/07/2003
פרסום לאומי
122094
ישראל (IL)
מגיש
שם:
STATE OF ISRAEL, ATOMIC ENERGY COMMISSION
כתובת:
SOREQ NUCLEAR RESEARCH CENTER NAHAL SOREQ YAVNE , IL
מדינה:
ישראל
מסירת הודעות
שם:
לוצאטו את לוצאטו
כתובת:
גן תעשייה, עומר, באר שבע 84152
מדינה:
ישראל
טלפון:
0732262626
פקס:
073-2262627
דוא"ל:
ilpto@luzzatto.co.il
סוכן
שם:
לוצאטו את לוצאטו
כתובת:
גן תעשייה, עומר, באר שבע 84152
מדינה:
ישראל
טלפון:
0732262626
פקס:
073-2262627
דוא"ל:
ilpto@luzzatto.co.il
מסמכים
פרטי הבקשה
שרטוטים
תביעות
פטנטים דומים
תערובות פוליסילאוקסאנים אורגניים המכילים חלקיקים קשורים בצילוב המיוצרים על אתר
שיטה לאנליזה של תאים באתר
שיטה לבחינת תאים באתר
מחסומים לטמפרטורה נמוכה עבור תהליכים פנימיים
שיטה ואמצעים לגרימת בלעיה אנתלפית של מינרלים במיקמם, להפקת אנרגיה