כללי
מספר פטנט:
124782
שם האמצאה:
מעגל למדידת JTAG בעל עכבה גבוהה
שם באנגלית:
HIGH IMPEDANCE TEST MODE FOR JTAG
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
דין קדימה 574593 ארה"ב (US)
בקשה לאומית 124782 ישראל (IL)
פרסום לאומי 124782 ישראל (IL)
  מגיש
שם:
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
כתובת:
SAMSUNG MAIN BUILDING 250 2-KA TAEPYUNG-RO, CHUNG-KU SEOUL , KR
מדינה:
דרום קוריאה
  מסירת הודעות
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il
  סוכן
שם:
ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:
רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:
ישראל
טלפון:
03-7109333
פקס:
03-5606405
דוא"ל:
rasham@rcip.co.il