תהליך לסינטור ננו חלקיקים בטמפרטורה נמוכה פטנט 215192
כללי
מספר פטנט:
215192
שם האמצאה:
תהליך לסינטור ננו חלקיקים בטמפרטורה נמוכה
שם באנגלית:
PROCESS FOR SINTERING NANOPARTICLES AT LOW TEMPERATURES
בקשות ופרסומים
תאריך
סוג
מספר
מדינה
פרסום בינלאומי
2010/109465
הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
דין קדימה
61/162744
ארה"ב (US)
בקשה בינלאומית
PCT/IL/2010/000249
ישראל (IL)
בקשת PCT
215192
ישראל (IL)
פרסום לאומי
215192
ישראל (IL)
סיווגים (IPC)
C23C : כימיה, מטלורגיה > ציפוי חומרים מתכתיים; ציפוי חומרים עם חומר מתכתי; טיפול כימי במשטח; טיפול דיפוזיה של חומר מתכתי; ציפוי באמצעות אידוי בריק, ע"י התזה, ע"י השרשת יונים או ע"י ריבוץ באדים כימיים, באופן כללי; מניעת קורוזיה של חומר מתכתי או הקרמה באופן כללי
מגיש
שם:
YISSUM RESEARCH DEVELOPMENT COMPANY OF THE HEBREW UNIVERSITY OF JERUSALEM LTD.