כללי
מספר פטנט:
208829
שם האמצאה:
שיטה לגידול יהלומים בעלי גביש יחיד
שם באנגלית:
METHOD FOR GROWING MONOCRYSTALLINE DIAMONDS
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
פרסום בינלאומי 2009/154577 הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
דין קדימה 200804637-7 סינגפור (SG)
בקשה בינלאומית PCT/SG/2009/000218 סינגפור (SG)
בקשת PCT 208829 ישראל (IL)
פרסום לאומי 208829 ישראל (IL)
  סיווגים (IPC)
  • C23C: כימיה, מטלורגיה > ציפוי חומרים מתכתיים; ציפוי חומרים עם חומר מתכתי; טיפול כימי במשטח; טיפול דיפוזיה של חומר מתכתי; ציפוי באמצעות אידוי בריק, ע"י התזה, ע"י השרשת יונים או ע"י ריבוץ באדים כימיים, באופן כללי; מניעת קורוזיה של חומר מתכתי או הקרמה באופן כללי
  מגיש
שם:
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY
  מגיש
שם:
THE GEMESIS COMPANY (S) PTE. LTD
  מגיש/ממציא
שם:
MISRA, DEVI, SHANKER