מערכי דיודות–אור אינפרא–אדומות ומערכות חיישנים עם שכבת פסיבציה משופרת ושיטות של ייצור - פטנט 198152 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 198152
שם האמצאה:: מערכי דיודות–אור אינפרא–אדומות ומערכות חיישנים עם שכבת פסיבציה משופרת ושיטות של ייצור
שם באנגלית:: INFRARED PHOTODIODES AND SENSOR ARRAYS WITH IMPROVED PASSIVATION LAYERS AND METHODS OF MANUFACTURE

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2008/048555	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
17/10/2006	דין קדימה	11/582937	ארה"ב (US)
16/10/2007	בקשה בינלאומית	PCT/US/2007/022003	ארה"ב (US)
16/04/2009	בקשת PCT	198152	ישראל (IL)
31/07/2012	פרסום לאומי	198152	ישראל (IL)

מגיש

שם:: RAYTHEON COMPANY
כתובת:: 870 WINTER STREET WALTHAM, MA 02451-1449 , US
מדינה:: ארה"ב

מסירת הודעות

שם:: סנפורד ט. קולב ושות'
כתובת:: שער הגיא 4, מרמורק, רחובות 76122
מדינה:: ישראל
טלפון:: 08-9455122
פקס:: 08-9454556
דוא"ל:: colbpat@stc.co.il

סוכן

שם:: סנפורד ט. קולב ושות'
כתובת:: שער הגיא 4, מרמורק, רחובות 76122
מדינה:: ישראל
טלפון:: 08-9455122
פקס:: 08-9454556
דוא"ל:: colbpat@stc.co.il

מסמכים

פטנטים דומים