תהליך ליצור סובסטראט מצופה במוליך למחצה - פטנט 178084 - קונץ פטנט

כללי

מספר פטנט:: 178084
שם האמצאה:: תהליך ליצור סובסטראט מצופה במוליך למחצה
שם באנגלית:: PROCESS FOR PRODUCING SEMI-CONDUCTOR COATED SUBSTRATE

בקשות ופרסומים

תאריך	סוג	מספר	מדינה
	פרסום בינלאומי	2005/098930	הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
24/03/2004	דין קדימה	10/807716	ארה"ב (US)
17/03/2005	בקשה בינלאומית	PCT/US/2005/009108	ארה"ב (US)
14/09/2006	בקשת PCT	178084	ישראל (IL)
30/09/2013	פרסום לאומי	178084	ישראל (IL)

סיווגים (IPC)

H01L: חשמל > אלמנטים חשמליים בסיסיים

מגיש

שם:: QUANTUM GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
כתובת:: 123 N. MAIN STREET DUBLIN, PA 18917 , US
מדינה:: ארה"ב

מגיש

שם:: APPLIED MATERIALS, INC.
כתובת:: 3050 BOWERS AVENUE P.O.BOX 450A SANTA CLARA, CA 95054 , US
מדינה:: ארה"ב

מגיש

שם:: THE BOC GROUP,INC.
כתובת:: 575 Mountain Avenue Murray Hill, New Jersey 07974 , US
מדינה:: ארה"ב

מגיש

שם:: BOC EDWARDS, INC.
כתובת:: 575 MOUNTAIN AVENUE MURRAY HILL, NEW JERSEY 07974 , US
מדינה:: ארה"ב

מסירת הודעות

שם:: ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:: רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:: ישראל
טלפון:: 03-7109333
פקס:: 03-5606405
דוא"ל:: rasham@rcip.co.il

סוכן

שם:: ריינהולד כהן ושותפיו
כתובת:: רחוב הברזל 26א', רמת החייל 69710
מדינה:: ישראל
טלפון:: 03-7109333
פקס:: 03-5606405
דוא"ל:: rasham@rcip.co.il

מסמכים

פטנטים דומים