קונץ פטנט
ראשי
חיפוש פטנטים
אודות
צור קשר
מערך פוטודיודות שיטה לייצורו וחיישן קרינה
פטנט 171136
כללי
מספר פטנט:
171136
שם האמצאה:
מערך פוטודיודות שיטה לייצורו וחיישן קרינה
שם באנגלית:
PHOTODIODE ARRAY AND PRODUCTION METHOD THEREOF AND RADIATION DETECTOR
בקשות ופרסומים
תאריך
סוג
מספר
מדינה
פרסום בינלאומי
2004/086505
הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
27/03/2003
דין קדימה
2003-087894
יפן (JP)
25/03/2004
בקשה בינלאומית
PCT/JP/2004/004212
יפן (JP)
27/09/2005
בקשת PCT
171136
ישראל (IL)
30/08/2012
פרסום לאומי
171136
ישראל (IL)
מגיש
שם:
HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
כתובת:
1126-1, ICHINO-CHO, HIGASHI-KU HAMAMATSU-SHI, SHIZUOKA 4358558 , JP
מדינה:
יפן
מגיש/ממציא
שם:
KATSUMI SHIBAYAMA
מסירת הודעות
שם:
ג'יי אמ בי דייויס בן-דוד
כתובת:
מרכז בק למדע, הרטום 8, הר חוצבים, ירושלים 9777401
מדינה:
ישראל
טלפון:
02-5714777
פקס:
02-5714455
דוא"ל:
ipo@jmb.co.il
סוכן
שם:
ג'יי אמ בי דייויס בן-דוד
כתובת:
מרכז בק למדע, הרטום 8, הר חוצבים, ירושלים 9777401
מדינה:
ישראל
טלפון:
02-5714777
פקס:
02-5714455
דוא"ל:
ipo@jmb.co.il
מסמכים
פרטי הבקשה
שרטוטים
תביעות
פטנטים דומים
3, 1 - בנזותיאזינים ו - 3, 1 - בנזאוקסאזינים, תהליך להכנתם ותערובות המכילות אותם
אוכסימים של דיבנזוציקלו - הפטנון ודיבזוציקלו - אוקטאנון והכנתם
חומצות [(2, 2- דיאצילויניל) ארילאוכסי (ו - ארילתיו)] - אלקאנואיות, תולדותיהן והכנתן
בנזותיאזופינים ובנזותיאזוצינים והכנתם
מבנים סיביים לא - ארוגים ותהליך ומיתקן לייצורם