כללי
מספר פטנט:
170732
שם האמצאה:
מערך פוטודיודות שיטה לייצורו וחיישן קרינה
שם באנגלית:
PHOTODIODE ARRAY, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND RADIATION DETECTOR
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
פרסום בינלאומי 2004/082025 הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
דין קדימה 2003-063891 יפן (JP)
בקשה בינלאומית PCT/JP/2004/003118 יפן (JP)
בקשת PCT 170732 ישראל (IL)
פרסום לאומי 170732 ישראל (IL)
  מגיש
שם:
HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
כתובת:
1126-1, ICHINO-CHO, HIGASHI-KU HAMAMATSU-SHI, SHIZUOKA 4358558 , JP
מדינה:
יפן
  מגיש/ממציא
שם:
KATSUMI SHIBAYAMA
  מסירת הודעות
שם:
ג'יי אמ בי דייויס בן-דוד
כתובת:
מרכז בק למדע, הרטום 8, הר חוצבים, ירושלים 9777401
מדינה:
ישראל
טלפון:
02-5714777
פקס:
02-5714455
דוא"ל:
ipo@jmb.co.il
  סוכן
שם:
ג'יי אמ בי דייויס בן-דוד
כתובת:
מרכז בק למדע, הרטום 8, הר חוצבים, ירושלים 9777401
מדינה:
ישראל
טלפון:
02-5714777
פקס:
02-5714455
דוא"ל:
ipo@jmb.co.il