כללי
מספר פטנט:
169840
שם האמצאה:
שיטה ליצור מבנה מגן גל בלייזר פולט שטח מוליך למחצה ולייזר פולט שטח מוליך למחצה
שם באנגלית:
METHOD FOR PRODUCING A WAVEGUIDE STRUCTURE IN A SURFACE-EMITING SEMICONDUCTOR LASER AND SURFACE-EMITTING SEMICONDUICTOR LASER
  בקשות ופרסומים
תאריך סוג מספר מדינה
פרסום בינלאומי 2004/070899 הארגון העולמי לקניין רוחני (WO)
דין קדימה 10304432.9 גרמניה (DE)
דין קדימה 10317970.4 גרמניה (DE)
בקשה בינלאומית PCT/EP/2003/012968 משרד הפטנטים האירופי (EP)
בקשת PCT 169840 ישראל (IL)
פרסום לאומי 169840 ישראל (IL)
  מגיש
שם:
VERTILAS GMBH